전자 Engineering의 과거와 오늘
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작성일 22-10-15 21:28본문
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실리콘은 규소·규산염의 형태로 지각의 25를 형성하며 산소다음으로 많은 원소이고, 전기적 특성(特性)이 우수하여 각광받는 반도체 재료로 부상했다. 트랜지스터는 소량의 다른 원소를 첨가함으로써 그 성질이 크게 change(변화)하는 반도체결정으로부터 만들어진다. 초기의 트랜지스터는 순도문제 때문에 게르마늄(Ge)이 쓰였으나 1950년대말에는 소자에 쓰일 수 있을 만큼 실리콘(Si)을 정제할 수 있게 되었다. 전류는 음전하를 가진 전자와 양전하를 가진 양공(hole)에 의해서 흐르며 두 종류의 전하가 있음으로 해서 많은 유용한 소자들이 만들어진다. 집적회로기술이 계속 발전하여 초고밀도집적이 가능하게 되었으며 제조기술의 원가절감과 함께 개인용 컴퓨터도 대량생산 단계에 돌입했다. 1980년대 중반에는 값싼 마이크로프로세서의 등장으로 가정용 전자기구인 전자 레인지, 온도조…(생략(省略))
전자 Engineering의 과거와 오늘
다. 마이크로프로세서의 개발과 함께 컴퓨터 공학자들은 도시락보다 작은 크기의 마이크로컴퓨터를 만들었으며 특정작업을 위한 프로그램(program]) 을 내장하여 로봇 등을 제작했다. 그후 집적회로(integrated circuit/IC)가 중요해지면서 알게된 실리콘의 중요한 특성(特性) 중 1가지는 실리콘 결정 위에 탁월한 절연막인 산화막(SiO2)을 기를 수 있다는 것이었다.1. 개요, , 2. 전자Engineering의 歷史(역사), 1)초기의 발달, 2) 진공관시대, 3) transistor의 발명 :반도체 혁명, 4) 디지털 전자Engineering, 5) 광전자Engineering, 6) 마이크로 전자Engineering의 경향, 7) 초전도 전자Engineering, , 3. 전자Engineering의 과학, , 4. 주요소자와 부품, 파일크기 : 30K
레포트/공학기술
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1. 개요, , 2. 전자공학의 역사, 1)초기의 발달, 2) 진공관시대, 3) 트랜지스터의 발명 :반도체 혁명, 4) 디지털 전자공학, 5) 광전자공학, 6) 마이크로 전자공학의 경향, 7) 초전도 전자공학, , 3. 전자공학의 과학, , 4. 주요소자와 부품, FileSize : 30K , 전자 공학의 과거와 오늘공학기술레포트 , 전자공학 반도체혁명 진공관시대 초전도전자공학 광전자공학
설명
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1. 개요
2. 전자공학의 history(역사)
1)초기의 발달
2) 진공관시대
3) 트랜지스터의 발명 :반도체 혁명
4) 디지털 전자공학
5) 광전자공학
6) 마이크로 전자공학의 경향
7) 초전도 전자공학
3. 전자공학의 과학
4. 주요소자와 부품
트랜지스터의 발명반도체 혁명 벨 연구소의 존 바딘, 월터 H. 브래튼, 윌리엄 B. 쇼클리에 의해서 1947년 트랜지스터가 개발되었다. 이 산화막은 다음에 說明(설명) 할 전계效果(효과) 트랜지스터에 필수적이다. 수십만 개의 트랜지스터를 쓰는 컴퓨터, 소형이며 가벼운 시스템을 필요로 하는 미사일 유도 시스템 등의 요구로 인해 1958년 텍사스인스트루먼트사의 잭 킬비와 1959년 페어차일드반도체사의 진 호어니와 로버트 노이스는 독립적으로 IC를 개발하기에 이르렀다. 1960년쯤에는 진공관이 트랜지스터로 상당히 대체되었다. 그후 집적도는 계속 증가해서 1970년에는 한 변이 3㎜인 칩 위에 1,000개 이상의 소자를 집적했고 인텔사는 이를 이용하여 마이크로프로세서를 개발했다.