[전자재료experiment(실험)] MOS Capacitor
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작성일 23-01-20 07:31
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이는 이전 transistor(트랜지스터) 에 비해 저렴한 생산비와 기술적 이점을 가졌으며 성능…(skip)
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설명
- 목차 -
1. test(실험) 목적
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p. 2
2. test(실험) 배경
···········
p. 2
3. test(실험) 理論
···········
p. 2
① Si의 property(특성)
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p. 2
② MOS Capacitor
···········
p. 3
③ E-Beam의 구조와 증착원리
···········
p. 8
4. test(실험) 방법
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p. 9
5. 결과 예측
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p. 11
6. 결과 analysis
···········
p. 12
① C-V 결과 analysis
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p. 12
② I-V 결과 analysis
···········
p. 16
7. conclusion
···········
p. 19
8. Reference List
···········
p. 19
1. test(실험) 목적
MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, dielectric material의 두께 및 electrode의 크기를 변수로 두고 C-V와 I-V를 측정(measurement)하여 각각의 변수가 어떤 effect(영향) 을 미치는지에 대하여 analysis해 본다.
2. test(실험) 배경
1960년에 벨 연구소의 연구진은 금속 산화막 반도체 전계效果 transistor(트랜지스터) (MOSFET)을 발명했다.
